前价格仍较为昂贵。 u 根据碳氟化合物组成成分和结构不同可分为氯氟烃 (CFC) 、氢代氯氟烃 (HCFC) 、氢氟烃 (HFC) 、全氟碳化合物 (PFC) 、氢氟醚 (HFE) 等 种类。 CFC 已淘汰 ， HCFC 也逐步被淘汰。综合来看全氟碳化合物是目前更适合用于数据中心液冷系统的冷却液。 代表产品 对二乙基苯、二苯甲基甲苯、氢化三联苯 Coolano125R 石油烃基或异链烷烃基的矿物油、合成化 半导体行业经过近六十年的发展，半导体材料经历了三次明显的换代和发展。第一代半导体材料主要是指硅、锗元素等单质 半导体材料；第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓、锑化铟；第三代半导体材料主要分为碳化硅 SiC 和 氮 化镓 GaN ，相比于第一、二代半导体，其具有更高的禁带宽度、高击穿电压、电导率和热导率， 在高温、高压、高功率 和高 频领域将替代前两代半导体材料。 图表：三代半导体材料发展历程及主要特征 为衬底的化合物半导体则属第二代， 以氮化镓、碳化硅等材料为衬底的化合物半导体属第三代半导体。硅基半导体集成电路 主要在数码运用，如微处理器、逻辑 IC 、存储器等；化合物半导体集成电路主要在模拟应用，如移动通讯、全球定位系统、 卫星通讯、通讯基站、国防雷达、航天、军事武器等功率型、低噪声放大器等相关 MMIC 集成芯片。目前第二代半导体国 产 化处于早期阶段，第三代半导体主要是以碳化硅（ SiC ）和氮化镓（

固态变压器（SST）采用多级架构和高频变压器，成为交流电网，新能源和直流供电数据 中心之间更高效、更集成的接口。SST 在供配电系统中的功能主要涉及三个阶段： 1） 输入：将高压交流电转换为高压直流电。宽带隙半导体（如碳化硅和氮化镓）在该过程 中可通过降低开关损耗、增强热稳定性并能够在更高频率下工作，实现 SST 紧凑设计 和功率密度提升；无功功率补偿可以与电网无缝集成并在动态条件下稳定电力输送。 2） 隔离： 仍处于试点阶段，存在由电压制式和拓扑器件成熟度问题引起的可靠性、可维护 性和使用规范等方面的问题。目前 SST 在电动汽车充电和可再生能源领域率先试点， Amperesand 将于 2025 年在新加坡港口试用其基于碳化硅 (SiC) 的 SST，用于双向电动 汽车充电。 在 AIDC 需求释放态势下对 HVDC 技术放量的市场推演 需求侧：看好 HVDC 在 AIDC 需求驱动下突破渗透率瓶颈 随着

日本制造业正加速 AI 与数字化布局， 优化供应链，巩固优势并强化竞争力。面对全球新趋势与供应链风 险，通过制造业数字转型（DX）与绿色转型（GX），实现全链条 可视化管理与高效协同，推进低碳化生产， 以应对市场挑战，引领 产业升级，同时通过大力推动创新型人工智能以及大数据等对未来 社会至关重要的前沿技术，提升日本制造业竞争力。 韩国科学技术信息通信部于 2022 年发布《大韩民国数字战

型，针对不同场景和业务阶段，实现对欺诈风险由点及面的全面识 别。针对互联网模式下的信贷场景和保险场景，整合运筹算法和知 识图谱，助力平台策略冷启动，实现对欺诈风险由点及面的识别， 集成离线策略和在线策略，助力平台策略低碳化，实现与欺诈风险 动态高效的对抗。 数据来源：上海证券报、中国银行保险报、新华保险直通车、每日经济新闻、中国经济网、上海保险、浙江人寿保险、太平洋寿险云南分公司、保险业风险 观察、数据猿公众号，财通证券研究所